Samsung увеличит выпуск DRAM за счёт модернизации фабрик

На фоне высокого спроса на оперативную память южнокорейский гигант Samsung Electronics принял решение отказаться от строительства новых производственных мощностей: вместо физического расширения компания сосредоточивается на оптимизации существующих мощностей и переходе на более передовые технологические процессы.

Оптимизация производственных линий в Пхёнтэке и модернизация завода в Хвасоне 

Ключевым элементом стратегии Samsung по увеличению производства DRAM является переход с технологического узла 1b на более передовой узел 1c, а также переоснащение действующих производственных цехов. На площадке в Пхёнтэке активно проводится модернизация оборудования; в прошлом году на эту площадку приходилось 49,5 % объема производства DRAM компании, и ожидается, что в следующем году эта доля вырастет до 55,4 %. 

Одновременно в Хасеонге устаревшие линии по производству 2D NAND перепрофилируются для тестирования и упаковки DRAM. Перепрофилирование этих налаженных линий позволяет увеличить объемы производства без лишних затрат, хотя и сопряжено с технологическими ограничениями. 

Согласно прогнозам Omdia, объем производства DRAM компанией Samsung в этом году вырастет на 6 % (достигнув 8,2 млн пластин), а в следующем году — всего на 1,3 %.

Сокращение затрат на фоне агрессивной экспансии SK Hynix 

В то время как Samsung стремится к максимальной эффективности на существующих линиях, её основной конкурент, SK Hynix, идёт по более агрессивному пути. 

SK Hynix планирует увеличить объём обработки пластин в этом году почти на 10%, доведя общий показатель до 6,66 млн единиц. В результате преимущество Samsung над SK Hynix по объёму производства DRAM, которое в прошлом году составляло 27%, к концу следующего года может сократиться до 13,6%. 

Аналитики отмечают, что в период дефицита памяти стратегия расширения SK Hynix обеспечивает большую гибкость для насыщения рынка, тогда как Samsung делает ставку на совершенствование технологических процессов и качество продукции.