Прорыв Samsung в 900-слойной NAND-памяти может изменить будущее AI-хранилищ

Согласно сообщениям, компания Samsung разработала первый в мире прототип 3D-чипа флэш-памяти NAND с 900 слоями. Речь идет не просто об увеличении количества слоев в технических характеристиках, а о демонстрации стремительного прогресса в индустрии производства микросхем памяти, обусловленного растущими требованиями систем искусственного интеллекта к более быстрым, плотным и эффективным микросхемам памяти.

Эта микросхема была изготовлена с использованием технологии Cell Multi-Bonding от Samsung. По сути, Samsung объединила две пластины с 450-слойными ячейками в один чип.

Почему это важно для конкурентной борьбы

В настоящее время SK hynix лидирует на рынке многослойной NAND с чипами из 321 слоя, в то время как Samsung готовится к массовому производству 400-слойной NAND. В то же время китайская компания YMTC догоняет конкурентов, уже запустив в производство 294-слойные чипы.

Это давление имеет значение. В 2013 году Samsung стала пионером в области 3D V-NAND, но более высокие стопки привели к реальным инженерным проблемам, включая деформацию пластин и смещение слоев. Теперь компания использует усовершенствованные системы зажима и коррекции наложения, чтобы преодолеть эти ограничения.

Наш вывод

Потенциальное влияние на конечных пользователей варьируется от уменьшения размеров устройств и увеличения емкости до снижения энергопотребления в дата-центрах и улучшения возможностей поддержки обработки данных искусственным интеллектом. Хотя 900-слойная NAND вряд ли появится в вашем ноутбуке в ближайшее время, подобные разработки определят будущее технологий хранения данных.

Поделитесь этой статьей с тем, кто интересуется микросхемами, ИИ или технологиями хранения данных, и читайте другие наши статьи о новейших технологиях.