Первый кристалл памяти по технологии 10 нм от Samsung

Недавно Samsung Electronics разработала первый работоспособный кристалл DRAM на технологии тоньше 10 нм. 

Литография в сфера производства микросхем

В сфера производства микросхем до недавних пор, производители осваивали техпроцессы 10-нм, они ранжируются в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d. Специалисты Samsung смогли создать первый образец кристалла DRAM на техпроцессе поколения 10а. Линейные размеры будут находиться в пределах от 9,5 до 9,7 нм.

Следующий этап подразумевает использования новой технологии в 2028 году при производстве чипов памяти. Технологии 10а, 10b, 10c будут использовать архитектуру ячеек 4F2 а также транзисторов с вертикальным каналом. Со следующей технологией 10d планируется переход на 3D DRAM.

У компании могут быть определенные риски при внедрении 10a, которые могут быть связанны с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Данная структура подразумевает увеличение ячеек на 30-50 %. Кроме явных изменений в компоновке, связанных с размещением конденсатора и изготовления периферийных схем на отдельном кристалле, также будет изменения в химическом составе элементов. Каналы транзисторов будут изготовляться из цинка, галлия, и оксида индия.  

Надеемся, статья оказалась полезной - а как вы считаете? Поставьте лайк и подпишитесь на наш блог, чтобы получать больше практических советов и последних новостей о технологиях от HostZealot.