UltraRAM: память, которая может заменить и DRAM, и Flash

Новый тип памяти готов изменить всё, что мы знаем о хранении данных. UltraRAM, разработанная компанией Quinas Technology совместно с производителем чипов IQE plc, выходит за пределы лабораторий и приближается к коммерческому производству. В отличие от современных решений, UltraRAM сочетает скорость DRAM с надежностью флеш-памяти. Первые тесты показывают, что она способна хранить данные тысячи лет и выдерживает в тысячи раз больше циклов записи, чем NAND.

Технология основана на эпитаксии — процессе, при котором полупроводниковые слои выращиваются с атомной точностью на кристаллической подложке. После этого применяются привычные методы производства микросхем, такие как фотолитография и травление. Такое сочетание новых научных подходов и проверенных индустриальных методов делает UltraRAM масштабируемой для массового производства.

Квантовый скачок в хранении данных

Главное отличие UltraRAM — использование резонансного туннелирования, квантового процесса, который позволяет хранить и извлекать данные без ограничений традиционной памяти. Впервые концепция привлекла внимание в 2022 году, но долгое время оставалась в рамках университетских исследований. Позже компания Quinas отделилась от Ланкастерского университета и совместно с IQE усовершенствовала процесс для промышленного применения.

Сооснователь Quinas Джеймс Эшфорт-Пук называет последние достижения переломным моментом, превращающим исследовательский проект в технологию, готовую к пилотному производству. Следующий шаг — сотрудничество с полупроводниковыми фабриками для вывода чипов UltraRAM на рынок.

Если проект будет успешным, UltraRAM сможет стереть грань между оперативной и постоянной памятью, полностью изменив архитектуру компьютеров, смартфонов и серверов в ближайшее десятилетие.