Технология памяти ZAM от Intel бросает вызов всем производителям HBM

Недавно стало известно, что Intel и SoftBank уже почти разработали новый стандарт ZAM (Z-Angle Memory). Новая технология сможет бросить вызов всем производителям HBM.

Ключевые аспекты новой технологии от Intel

Стандарт ZAM будет в значительной степени приближен к новому HBM4E. Однак серийное производство новинки от Intel не начнется в ближайшее время, так как разработка завершится не раньше 2028–2030 годов.

Детали о новинке были обнародованы на VLSI Symposium 2026, но несмотря на это, доступная информация довольно ограничена. Планируется, что ZAM будет иметь 9-слойную структуру. Один логический контроллер будет расположен на основной подложке. Также известно, что основной стек будет состоять из 8 модулей DRAM.

Технология будет состоять из 3 основных уровней TSV, которые будут использовать гибридное соединение. Основным преимуществом станет более высокая плотность пропускной способности ~0,25 Тб/с/мм². Кроме того, будет снижено энергопотребление и улучшено рассеивание тепла.

ZAM поддерживает более 9 слоев со сверхвысокой плотностью с межслойными соединениями TSV в каждом слое. Новая архитектура отлично оптимизирована под задачи, связанные с ИИ.

Надеемся, статья оказалась полезной - а как вы считаете? Поставьте лайк и подпишитесь на наш блог, чтобы получать больше практических советов и последних новостей о технологиях от HostZealot.