Создавая будущее памяти: внутри Fab2

Kioxia и Sandisk открыли в Японии новый завод Fab2, предназначенный для производства 3D NAND-памяти следующего поколения. Главная особенность — конструкция из 218 слоёв, которая значительно увеличивает плотность записи. В 2020 году передовыми считались микросхемы с 96 слоями, сегодня в SSD высокого класса распространены 176-слойные чипы. Fab2 с его 218 слоями снижает стоимость хранения на бит и повышает эффективность. Эта память будет использоваться от дата-центров до смартфонов и автомобилей.

Умнее чипы, умнее фабрика

Fab2 — это не только про плотность. Здесь применяется технология CMOS direct bonded to Array (CBA). Вместо разделения управляющей логики и массива памяти они объединяются, что снижает задержку и ускоряет выполнение задач, таких как обучение ИИ. Для систем, которые передают гигантские объёмы данных через GPU, даже малое уменьшение задержек имеет значение. Сама фабрика также использует ИИ: он следит за чистыми помещениями и предсказывает, когда оборудование нуждается в обслуживании.

Конкуренция и перспективы

Kioxia, выросшая из Toshiba, и Sandisk сотрудничают уже более двадцати лет. Их проект частично поддержан государственными субсидиями Японии, одобренными в 2024 году. Fab2 выйдет на крупные объёмы производства к середине 2026-го. В то же время конкуренты ускоряются: SK hynix уже выпускает 321-слойную 3D QLC NAND с более высокой скоростью записи и улучшенной энергоэффективностью. Гонка за более плотной, быстрой и эффективной памятью набирает обороты, и Fab2 займёт в ней ключевое место.