Samsung представила новую высокопроизводительную память GDDR7 и HBM3E

В ходе мероприятия Memory Tech Day компания Samsung поделилась информацией о некоторых моделях памяти нового поколения - GDDR7 и HBM3E, последняя из которых предназначена для интеграции с искусственным интеллектом и графическими процессорами.

GDDR7 разрабатывается уже некоторое время и будет использоваться в видеокартах нового поколения RTX 50 (Blackwell) и RX 8000 (RDNA 4). Помимо прочего, утверждается, что новая память будет потреблять на 50% меньше энергии в режиме ожидания, хотя Samsung не сообщила слишком много подробностей.

В GDDR7 также будет использоваться сигнализация PAM3, которая проще в производстве и, следовательно, более доступна.

Видеокарты с памятью GDDR7 появятся не раньше, чем через год, и, скорее всего, их можно будет встретить в первую очередь на самых современных машинах.

HBM3E - это еще одна память нового поколения, представленная компанией Samsung под кодовым названием Shinebolt. Память способна развивать скорость 9,8 Гбит/с на контакт при пропускной способности 1225 ГБ/с на стек, что значительно превышает показатели предшественников. Отдельные экземпляры памяти также могут быть соединены между собой, что позволяет достичь объема до 216 Гбайт при пропускной способности 7,35 Тбайт.