High-NA EUV выходит на старт массового внедрения и Вы почувствуете это в новых чипах

Вы наблюдаете, как индустрия микросхем подходит к новой границе, и ASML пытается проложить через нее путь. High-NA EUV поднимает числовую апертуру до 0,55 и помогает печатать более мелкие элементы с меньшим числом технологических шагов. На практике такая система способна формировать шаблоны примерно до 8 нм за одну экспозицию. Это напрямую ведет к логике уровня 1,4 нм и DRAM ниже 10 нм. Но главный вопрос упирается в цену. Одна система High-NA EUV может стоить около 380 млн долларов, поэтому каждому покупателю придется доказывать экономику, а не только амбиции.

Кто идёт первым, а кто ждёт

ASML ожидает, что первую волну возглавят Intel, Samsung и SK hynix. Intel уже в декабре ввела в строй ASML Twinscan EXE:5200B и связывает его со своей дорожной картой Intel 14A. Samsung, как сообщается, получила первый EXE:5200B в тот же месяц и планирует вторую поставку в первой половине этого года, чтобы поддержать производство уровня 2 нм, включая Exynos 2600 и возможные контрактные проекты. SK hynix работает с High-NA EUV с сентября и уже применяет обычную EUV для DRAM. Компания планирует несколько EUV слоёв в передовой памяти. На этом фоне TSMC выглядит осторожной и, вероятно из экономических соображений, не собирается использовать High-NA EUV для своего 1,4 нм узла. Micron пока оценивает сроки и целесообразность, а японская Rapidus нацелилась на 1,4 нм производство примерно с 2029 года.

Что это значит для Вас

Вам стоит ожидать, что High-NA EUV повлияет на цены и баланс поставок. Меньшее число шагов в формировании рисунка может улучшить выход годных кристаллов, но высокая стоимость оборудования сначала поднимет себестоимость пластин. В 2027–2028 годах более широкое внедрение может дать более эффективное производство и новый рост производительности, однако также способно усилить разрыв между лидерами и остальными.

Если текст оказался полезным, пожалуйста, поделитесь им и прочитайте другие наши материалы о чипах, производстве и гонке за следующими техпроцессами.